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搜索 RS1E300GNTB6 条相关记录
自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RS1E300GNTB_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2500:

¥2.352044

库存: 1000 +

国内:1~2 天

系列: *

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RS1E300GNTB_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+2500:

¥5.753724

库存: 0

货期:7~10 天

系列: *

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

RS1E300GNTB_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
+1:

¥13.317491

+10:

¥11.872402

库存: 0

货期:7~10 天

系列: *

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

RS1E300GNTB_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌

库存: 0

货期:7~10 天

系列: *

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

RS1E300GNTB_未分类
RS1E300GNTB
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

未分类

+2500:

¥6.42864

+5000:

¥6.122481

+12500:

¥5.83985

库存: 0

货期:7~10 天

Packaging: Tape & Reel (TR)

Package / Case: 8-PowerTDFN

Mounting Type: Surface Mount

Operating Temperature: 150°C (TJ)

Technology: MOSFET (Metal Oxide)

FET Type: N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), 80A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 10V

FET Feature: -

Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 33W (Tc)

Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA

Supplier Device Package: 8-HSOP

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

Vgs (Max): ±20V

Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.8 nC @ 10 V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 15 V

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RS1E300GNTB_晶体管
RS1E300GNTB
授权代理品牌

MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

晶体管

+2500:

¥7.335501

+5000:

¥6.993178

+10000:

¥6.667156

+25000:

¥6.650854

库存: 0

货期:7~10 天

系列: *

工作温度: -

安装类型: -

封装/外壳: -

供应商器件封装: -

RS1E300GNTB参数规格

属性 参数值
系列: *
工作温度: -
安装类型: -
封装/外壳: -
供应商器件封装: -