品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 40A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 147 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10000 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 30W（Ta）

工作温度： 150°C

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220ABA

封装/外壳： TO-220-3

温度： 150°C

品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： 管件

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 5.5 毫欧 40A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 147 nC 10 V

Vgs（最大值）： ±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 10000 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 30W（Ta）

工作温度： 150°C

安装类型： 通孔

供应商器件封装： TO-220ABA

封装/外壳： TO-220-3

温度： 150°C