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	R6047ENZ4C13 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥44.463386 +10：￥37.793866 +30：￥31.124346 +90：￥25.566453 +510：￥22.231693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 25.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 481W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C（TJ）

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	R6047ENZ4C13 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A TO247 下载数据手册未分类	+3：￥112.606395 +10：￥61.933507 +50：￥55.739207 +100：￥43.723406 +500：￥42.559905	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 25.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 481W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C（TJ）
	R6047ENZ4C13 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A TO247 下载数据手册未分类	+30：￥45.737264	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 25.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 481W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	R6047ENZ4C13 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥86.87925 +10：￥79.837758 +100：￥67.427414 +500：￥59.981435 +1000：￥56.408846	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 25.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 481W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

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	R6047ENZ4C13 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥212.529666 +10：￥195.30431 +100：￥164.945319 +500：￥146.730481 +1000：￥137.990983	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 25.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 481W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C（TJ）

Mouser

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	R6047ENZ4C13 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥216.557884 +10：￥199.091248 +30：￥190.854948 +120：￥167.992115 +510：￥149.389438	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 25.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 481W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C（TJ）

R6047ENZ4C13参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	72 毫欧 25.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	145 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3850 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	481W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	150°C（TJ）