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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSJ151P10TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 15A SC83 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥14.598833 +10：￥13.396833 +30：￥12.642851	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.35W（Ta），50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSJ151P10TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 15A SC83 下载数据手册	+1：￥22.2264 +100：￥12.846816 +1000：￥8.144928	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.35W（Ta），50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RSJ151P10TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 15A SC83 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥8.643715 +2000：￥8.067444 +5000：￥7.664089 +10000：￥7.376014	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.35W（Ta），50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）
RSJ151P10TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 15A SC83 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.051314 +10：￥17.000568 +100：￥13.253405 +500：￥10.948802	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS
RSJ151P10TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 15A SC83 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥19.051314 +10：￥17.000568 +100：￥13.253405 +500：￥10.948802	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSJ151P10TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 15A SC83 下载数据手册晶体管	+1：￥23.605855 +10：￥19.486711 +100：￥15.066555 +500：￥12.769342 +1000：￥10.392914	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 120 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 64 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3800 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.35W（Ta），50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

RSJ151P10TL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	120 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	64 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3800 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.35W（Ta），50W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	LPTS
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	150°C（TJ）