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Digi-Key
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RS1ML R3G_二极管整流器

DIODE GEN PURP 1KV 800MA SUB SMA

二极管整流器

+1800:

¥2.474501

+3600:

¥2.256182

+5400:

¥2.110538

+12600:

¥1.984873

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 800mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V 800 mA

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 500 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-219AB

供应商器件封装: Sub SMA

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

RS1ML R3G_二极管整流器

DIODE GEN PURP 1KV 800MA SUB SMA

二极管整流器

+1:

¥6.375393

+10:

¥5.454502

+100:

¥4.076001

+500:

¥3.202145

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: DO-219AB

供应商器件封装: Sub SMA

RS1ML R3G_二极管整流器

DIODE GEN PURP 1KV 800MA SUB SMA

二极管整流器

+1:

¥6.375395

+10:

¥5.454504

+100:

¥4.076002

+500:

¥3.202149

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: -55°C # 150°C

封装/外壳: DO-219AB

供应商器件封装: Sub SMA

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RS1ML R3G_二极管整流器
RS1ML R3G

DIODE GEN PURP 1KV 800MA SUB SMA

二极管整流器

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Taiwan Semiconductor Corporation

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V

电流 - 平均整流 (Io): 800mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V 800 mA

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 500 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 1000 V

不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: DO-219AB

供应商器件封装: Sub SMA

工作温度 - 结: -55°C # 150°C

温度:

艾睿
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RS1ML R3G_未分类
RS1ML R3G
授权代理品牌

Rectifier Diode Switching 1KV 0.8A 500ns 2-Pin Sub SMA

未分类

+1:

¥0.554104

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数
RS1ML R3G_未分类
RS1ML R3G
授权代理品牌

Diode Switching 1KV 0.8A 2-Pin Sub SMA

未分类

+3:

¥0.547913

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

RS1ML R3G参数规格

属性 参数值
品牌: Taiwan Semiconductor Corporation
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 1000 V
电流 - 平均整流 (Io): 800mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 1.3 V 800 mA
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 500 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 5 µA 1000 V
不同 Vr、F 时电容: 10pF 4V,1MHz
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: DO-219AB
供应商器件封装: Sub SMA
工作温度 - 结: -55°C # 150°C
温度: