RTQ045N03TR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTQ045N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.534817 +200：￥1.813927 +500：￥1.748363 +1000：￥1.726509	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTQ045N03TR 授权代理品牌	RTQ045N03TR UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体下载数据手册未分类	+3000：￥0.652901 +6000：￥0.623034 +9000：￥0.593862	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	RTQ045N03TR 授权代理品牌	RTQ045N03TR VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.941844 +50：￥0.910472 +200：￥0.871229 +3000：￥0.847614	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTQ045N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.931533 +6000：￥1.829881 +9000：￥1.694321 +30000：￥1.677545	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RTQ045N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.337684 +6000：￥3.162028 +9000：￥2.927782 +30000：￥2.898792	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）
RTQ045N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.758054 +10：￥7.610873 +100：￥5.269636 +500：￥4.40345 +1000：￥3.747583	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)
RTQ045N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.758054 +10：￥7.610873 +100：￥5.269636 +500：￥4.40345 +1000：￥3.747583	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTQ045N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6 下载数据手册未分类	+1：￥11.080748 +10：￥9.766887 +100：￥6.759256 +500：￥5.635352 +1000：￥4.796381	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

RTQ045N03TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	43 毫欧 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.7 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	540 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.25W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT6（SC-95）
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	150°C（TJ）