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	RJK005N03T146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.405991 +10：￥0.374761 +30：￥0.368518 +100：￥0.349787	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 580 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4 nC 4 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SMT3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

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	RJK005N03T146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥0.748512 +1500：￥0.527616 +3000：￥0.415872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 580 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4 nC 4 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SMT3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RJK005N03T146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3 下载数据手册	+5：￥0.547893 +50：￥0.486701 +150：￥0.456105 +500：￥0.433157 +3000：￥0.346448	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 580 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4 nC 4 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SMT3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

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	RJK005N03T146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.102794	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 580 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4 nC 4 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SMT3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

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	RJK005N03T146 VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	RJK005N03T146 VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥0.36974 +500：￥0.363312 +18000：￥0.353614 +51000：￥0.347185 +99000：￥0.321467	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
	RJK005N03T146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3 下载数据手册未分类	+1：￥1.127137 +30：￥0.372585 +100：￥0.307766 +500：￥0.290586 +1500：￥0.279729	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 580 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4 nC 4 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SMT3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RJK005N03T146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.775347 +6000：￥0.728316 +15000：￥0.681355 +30000：￥0.624974 +75000：￥0.601493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 580 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4 nC 4 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SMT3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RJK005N03T146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.339798 +6000：￥1.258529 +15000：￥1.177379 +30000：￥1.079952 +75000：￥1.039378	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 500mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 580 毫欧 500mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 4 nC 4 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 60 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SMT3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
RJK005N03T146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.667864 +10：￥3.818074 +100：￥2.598444 +500：￥1.948774 +1000：￥1.461521	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3
RJK005N03T146 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 500MA SMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥4.667864 +10：￥3.818074 +100：￥2.598444 +500：￥1.948774 +1000：￥1.461521	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商器件封装： SMT3

RJK005N03T146参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	500mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	580 毫欧 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	4 nC 4 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	60 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	200mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SMT3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	150°C（TJ）