RTQ035N03TR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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	RTQ035N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOS场效应管 RTQ035N03TR SOT-457T 下载数据手册未分类	+1500：￥5.6952 +3000：￥3.796704 +6000：￥3.163968	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营现货库存

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	RTQ035N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 下载数据手册	+1：￥3.543406 +10：￥2.938693 +30：￥2.631032 +100：￥2.408243 +500：￥2.196063	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 54 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 285 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

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	RTQ035N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.08308	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 54 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 285 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

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	RTQ035N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+90：￥3.129581 +100：￥2.980627 +500：￥2.500416 +1000：￥2.417645	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 54 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 285 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RTQ035N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.709642 +6000：￥1.619653 +9000：￥1.499644 +30000：￥1.484814	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 54 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 285 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RTQ035N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.954255 +6000：￥2.798754 +9000：￥2.59138 +30000：￥2.565752	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 54 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 285 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）
RTQ035N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.712807 +10：￥6.742487 +100：￥4.665004 +500：￥3.897456	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)
RTQ035N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.712807 +10：￥6.742487 +100：￥4.665004 +500：￥3.897456	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)

Mouser

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	RTQ035N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.5A TSMT6 下载数据手册未分类	+3000：￥3.757094 +6000：￥3.551009 +9000：￥3.297366 +24000：￥3.265659	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 54 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 285 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTQ035N03TR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 30V 3.5A 6-Pin TSMT T/R 下载数据手册未分类	+332：￥2.186175 +500：￥2.106746 +1000：￥2.038399	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RTQ035N03TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	54 毫欧 3.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.4 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	285 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.25W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT6（SC-95）
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	150°C（TJ）