搜索 RQ1E070RPTR 共 10 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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RQ1E070RPTR 授权代理品牌 | +1: ¥3.723759 +10: ¥3.203918 +30: ¥2.938693 +100: ¥2.747731 +500: ¥2.556769 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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RQ1E070RPTR 授权代理品牌 | +1: ¥14.000976 +100: ¥8.092656 +1500: ¥5.13072 +3000: ¥3.70944 |
Digi-Key
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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RQ1E070RPTR 授权代理品牌 | MOSFET P-CH 30V 7A TSMT8 | +1: ¥19.019339 +10: ¥15.875647 +100: ¥12.071779 +500: ¥10.23272 +1000: ¥8.346504 |
RQ1E070RPTR参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Rohm Semiconductor |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 17 毫欧 7A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.5V 1mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 26 nC 5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2700 pF 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 550mW(Ta) |
工作温度: | 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | TSMT8 |
封装/外壳: | 8-SMD,扁平引线 |
温度: | 150°C(TJ) |