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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RD3L150SNTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 15A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥8.07312 +200：￥5.45952 +800：￥4.00752 +2500：￥2.904 +5000：￥2.7588	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 930 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RD3L150SNTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 15A TO252 下载数据手册未分类	+37：￥7.186802 +50：￥5.815068 +100：￥5.525259 +500：￥3.993314 +1000：￥3.81992	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 930 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	RD3L150SNTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 15A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥2.984855	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 930 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RD3L150SNTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 15A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥7.301745	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 930 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
RD3L150SNTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 15A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.252928 +10：￥15.388498 +100：￥11.996351 +500：￥9.909581 +1000：￥7.823369	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252
RD3L150SNTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 15A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.252928 +10：￥15.388498 +100：￥11.996351 +500：￥9.909581 +1000：￥7.823369	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RD3L150SNTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 15A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥17.348676 +10：￥15.436224 +100：￥12.021129 +500：￥9.931093 +1000：￥8.01864	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 15A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 40 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 18 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 930 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

RD3L150SNTL1参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	15A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	40 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	18 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	930 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	20W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）