RTL035N03TR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTL035N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥2.035099 +100：￥1.376133 +800：￥1.011923 +3000：￥0.733623 +6000：￥0.696839	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT6 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTL035N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.387454 +200：￥1.354981 +500：￥1.311272 +1000：￥1.289418	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT6 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

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	RTL035N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 下载数据手册	+1：￥7.056432 +100：￥4.078656 +1500：￥2.585808 +3000：￥1.869552	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT6 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RTL035N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.626075	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT6 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RTL035N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.97781	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT6 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）
RTL035N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.97781	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-SMD, Flat Leads 供应商器件封装： TUMT6
RTL035N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.97781	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-SMD, Flat Leads 供应商器件封装： TUMT6

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTL035N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 下载数据手册未分类	+1：￥8.696292 +10：￥7.57419 +100：￥5.65259 +500：￥4.44633 +1000：￥3.436438	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 56 毫欧 3.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 350 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT6 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTL035N03TR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 3.5A TUMT6 下载数据手册未分类	+3000：￥1.852644 +6000：￥1.813435 +9000：￥1.735018 +30000：￥1.695807	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	RTL035N03TR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	MOSFETs N-CH 30V 3.5A TUMT6 下载数据手册未分类	+3000：￥1.847753 +6000：￥1.808016 +9000：￥1.708676 +15000：￥1.678872	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RTL035N03TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	56 毫欧 3.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.4 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	350 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TUMT6
封装/外壳:	6-SMD，扁平引线
温度:	150°C（TJ）