RSJ250P10TL厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSJ250P10TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥31.251638 +10：￥20.834506 +30：￥17.362048	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSJ250P10TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.624448 +10：￥22.33534 +30：￥20.379359	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

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	RSJ250P10TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS 下载数据手册	+1：￥28.10016 +100：￥16.241904 +1000：￥10.29744	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RSJ250P10TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥8.059682	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RSJ250P10TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥19.716116	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）
RSJ250P10TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥49.108619 +10：￥33.825282 +100：￥24.589498 +500：￥20.527098	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS
RSJ250P10TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥49.108619 +10：￥33.825282 +100：￥24.589498 +500：￥20.527098	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSJ250P10TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS 下载数据手册未分类	+1：￥52.236113 +10：￥36.814023 +25：￥36.482365 +100：￥26.698459 +500：￥22.386906	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSJ250P10TL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, -25A, TO-263 下载数据手册未分类	+1：￥26.251322 +10：￥21.410102 +50：￥17.889214 +200：￥17.319659 +500：￥15.895771	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RSJ250P10TL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	25A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	63 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	60 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	50W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	LPTS
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	150°C（TJ）