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	R6009JND3TL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6009JND3 IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥20.608831 +200：￥8.228234 +500：￥7.955053 +1000：￥7.812998	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 585 毫欧 4.5A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 1.38mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	R6009JND3TL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6009JND3 IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥24.804576 +50：￥16.35984 +100：￥15.531782	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 585 毫欧 4.5A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 1.38mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	R6009JND3TL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6009JND3 IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.555968 +5000：￥6.309489	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 585 毫欧 4.5A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 1.38mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
R6009JND3TL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6009JND3 IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥16.037633 +5000：￥15.434681	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 585 毫欧 4.5A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 1.38mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）
R6009JND3TL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6009JND3 IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.602327 +10：￥29.539923 +100：￥23.513264 +500：￥19.896125 +1000：￥16.881652	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252
R6009JND3TL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6009JND3 IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥35.602327 +10：￥29.539923 +100：￥23.513264 +500：￥19.896125 +1000：￥16.881652	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6009JND3TL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R6009JND3 IS A POWER MOSFET WITH 下载数据手册晶体管	+1：￥40.698628 +10：￥33.833798 +100：￥26.96897 +250：￥25.824832 +500：￥22.719315	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 585 毫欧 4.5A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 1.38mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 645 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 125W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6009JND3TL1 ROHM(罗姆) 授权代理品牌	场效应管, MOSFET, N沟道, 9A, 600V, TO-252 下载数据手册未分类	+1：￥20.911348 +10：￥17.372702 +100：￥13.846877 +250：￥13.269924 +500：￥11.680098	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6009JND3TL1 ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+10：￥5.652201 +50：￥0.493387 +100：￥0.471647 +200：￥0.464086 +500：￥0.459361	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6009JND3TL1 ROHM(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET, N-CH, 9A, 600V, TO-252 下载数据手册未分类	+1：￥22.137344 +10：￥18.375677 +100：￥14.626031 +500：￥12.378647 +1000：￥10.503819	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

R6009JND3TL1参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	585 毫欧 4.5A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	7V 1.38mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	22 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	645 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	125W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	-55°C # 150°C（TJ）