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	RQ5E035ATTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOS场效应管 RQ5E035ATTCL SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥2.13807 +100：￥1.445829 +800：￥1.061291 +3000：￥0.769076 +6000：￥0.730598	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 475 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RQ5E035ATTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.457589 +50：￥1.187794 +150：￥1.072074 +500：￥0.927834 +3000：￥0.738028	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 475 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

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	RQ5E035ATTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.339954	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 475 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RQ5E035ATTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.841611	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 475 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RQ5E035ATTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.705308	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 475 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RQ5E035ATTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.251509 +200：￥0.863357 +1500：￥0.785448 +3000：￥0.733471 +45000：￥0.727336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 475 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RQ5E035ATTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.061889 +9000：￥1.044062 +15000：￥1.026466 +30000：￥1.008755 +390000：￥0.840668	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 475 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RQ5E035ATTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.715923	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 475 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

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	RQ5E035ATTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.751338	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 475 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
	RQ5E035ATTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥5.564971 +10：￥4.560561 +100：￥3.101454 +500：￥2.325889 +1000：￥1.744416	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3

RQ5E035ATTCL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	50 毫欧 3.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	475 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT3
封装/外壳:	SC-96
温度:	150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RQ5E035ATTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.841611	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 475 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RQ5E035ATTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.705308	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 475 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RQ5E035ATTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.251509 +200：￥0.863357 +1500：￥0.785448 +3000：￥0.733471 +45000：￥0.727336	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 475 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RQ5E035ATTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 3.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.061889 +9000：￥1.044062 +15000：￥1.026466 +30000：￥1.008755 +390000：￥0.840668	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 50 毫欧 3.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 475 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）