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	RJU002N06T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+300：￥2.850881 +500：￥1.927893 +1000：￥1.415216 +3000：￥1.025475 +6000：￥0.974171	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RJU002N06T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥0.483196 +50：￥0.395583 +150：￥0.351775 +500：￥0.31892	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

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	RJU002N06T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.569184	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RJU002N06T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.5913 +6000：￥0.578101 +9000：￥0.512044 +30000：￥0.505444 +75000：￥0.429458	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RJU002N06T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.446477 +6000：￥1.414186 +9000：￥1.252594 +30000：￥1.236449 +75000：￥1.050568	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）
RJU002N06T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.572291 +10：￥4.643467 +100：￥2.343165 +500：￥2.076845 +1000：￥1.616213	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3
RJU002N06T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.572291 +10：￥4.643467 +100：￥2.343165 +500：￥2.076845 +1000：￥1.616213	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-70, SOT-323 供应商器件封装： UMT3

Mouser

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	RJU002N06T106 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 200MA SOT-323 下载数据手册晶体管	+1：￥7.79396 +10：￥4.809039 +100：￥2.28844 +1000：￥2.006531 +3000：￥1.558793	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 200mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.3 欧姆 200mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 18 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： UMT3 封装/外壳： SC-70，SOT-323 温度： 150°C（TJ）

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	RJU002N06T106 ROHM(罗姆) 授权代理品牌	N-Channel 200 mW 60 V 3.1 Ohm Surface Mount 2.5 V Drive MosFet - UMT-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.769617 +9000：￥0.740088 +15000：￥0.726754 +30000：￥0.709609 +60000：￥0.681986	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RJU002N06T106参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	200mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.3 欧姆 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	18 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	200mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	UMT3
封装/外壳:	SC-70，SOT-323
温度:	150°C（TJ）