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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTR025P02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1500：￥1.553882 +3000：￥1.126026 +15000：￥1.013375	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RTR025P02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册	+1：￥1.128459 +10：￥1.001375 +30：￥0.981378	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

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	RTR025P02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.588972	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RTR025P02TL 授权代理品牌	RTR025P02TL VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+100：￥0.286049 +150：￥0.274241 +500：￥0.262202	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
RTR025P02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.358358	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RTR025P02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.883687 +9000：￥1.852316 +15000：￥1.820828 +30000：￥1.789573	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RTR025P02TL JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	RTR025P02TL JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.326682 +3000：￥0.313137 +9000：￥0.307697 +15000：￥0.299362 +18000：￥0.280493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

自营国内现货

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	RTR025P02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

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	RTR025P02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
	RTR025P02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3

RTR025P02TL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	95 毫欧 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	7 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	630 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT3
封装/外壳:	SC-96
温度:	150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RTR025P02TL 授权代理品牌	RTR025P02TL VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+100：￥0.286049 +150：￥0.274241 +500：￥0.262202	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
RTR025P02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.358358	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RTR025P02TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.883687 +9000：￥1.852316 +15000：￥1.820828 +30000：￥1.789573	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 95 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 630 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RTR025P02TL JSMSEMI(杰盛微) 授权代理品牌	RTR025P02TL JSMICRO/深圳杰盛微下载数据手册未分类	+50：￥0.326682 +3000：￥0.313137 +9000：￥0.307697 +15000：￥0.299362 +18000：￥0.280493	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数