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	RTQ020N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.235652 +50：￥1.05028 +150：￥0.864908 +500：￥0.772343 +3000：￥0.710512	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RTQ020N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 下载数据手册	+1：￥0.917084 +10：￥0.763768 +30：￥0.687108 +100：￥0.629613 +500：￥0.583618	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

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	RTQ020N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.664048	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

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	RTQ020N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 下载数据手册	+1：￥7.992518 +100：￥4.53168 +1500：￥2.873146 +3000：￥2.140474	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RTQ020N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.157111	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RTQ020N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥2.830601	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）
RTQ020N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.943048 +10：￥6.847454 +100：￥5.113679 +500：￥4.017538 +1000：￥3.104637	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)
RTQ020N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.943048 +10：￥6.847454 +100：￥5.113679 +500：￥4.017538 +1000：￥3.104637	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)

Mouser

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	RTQ020N03TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 2A TSMT6 下载数据手册晶体管	+1：￥9.152091 +10：￥7.860993 +100：￥5.883487 +500：￥4.625075 +1000：￥3.579121	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 125 毫欧 2A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 3.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 135 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

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	RTQ020N03TR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥3.279789 +50：￥1.597363 +100：￥1.465036 +200：￥1.455585 +500：￥1.181481	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RTQ020N03TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	125 毫欧 2A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	3.3 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	135 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.25W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT6（SC-95）
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	150°C（TJ）