RQ1A070APTR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ1A070APTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥3.844775 +50：￥2.563264 +150：￥2.136013	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7800 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 550mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT8 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RQ1A070APTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 下载数据手册未分类	+1：￥2.267368 +10：￥1.860381 +30：￥1.685927 +100：￥1.468307	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7800 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 550mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT8 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

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	RQ1A070APTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.71941	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7800 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 550mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT8 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

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	RQ1A070APTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 下载数据手册	+1：￥10.2492 +100：￥5.924016 +1500：￥3.755808 +3000：￥2.715552	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7800 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 550mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT8 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RQ1A070APTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.990019 +6000：￥1.871465	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7800 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 550mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT8 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RQ1A070APTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.868115 +6000：￥4.578098	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7800 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 550mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT8 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）
RQ1A070APTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.542735 +10：￥11.079415 +100：￥8.494219 +500：￥6.714544 +1000：￥5.371635	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8
RQ1A070APTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.542735 +10：￥11.079415 +100：￥8.494219 +500：￥6.714544 +1000：￥5.371635	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TSMT8

Mouser

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	RQ1A070APTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8 下载数据手册未分类	+1：￥12.062598 +10：￥10.645945 +100：￥8.163293 +500：￥6.452087 +1000：￥5.16167	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 14 毫欧 7A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7800 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 550mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT8 封装/外壳： 8-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

RQ1A070APTR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	14 毫欧 7A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	80 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7800 pF 6 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	550mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT8
封装/外壳:	8-SMD，扁平引线
温度:	150°C（TJ）