RTQ025P02TR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTQ025P02TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.706528 +10：￥2.300573 +30：￥1.894618 +100：￥1.69158 +500：￥1.556302	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTQ025P02TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6 下载数据手册	+1：￥1.385323 +10：￥1.162216 +30：￥1.066629 +100：￥0.970936 +500：￥0.907282	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTQ025P02TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.854753 +10：￥0.65205 +30：￥0.614858 +100：￥0.577598 +500：￥0.56106	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RTQ025P02TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.090951 +10：￥1.595087 +30：￥1.504104 +100：￥1.412956 +500：￥1.372501	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）
RTQ025P02TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.090951 +10：￥1.595087 +30：￥1.504104 +100：￥1.412956 +500：￥1.372501	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)
RTQ025P02TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.090951 +10：￥1.595087 +30：￥1.504104 +100：￥1.412956 +500：￥1.372501	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTQ025P02TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 2.5A TSMT6 下载数据手册晶体管	+1：￥9.969242 +10：￥8.776202 +100：￥5.981546 +500：￥5.000964 +1000：￥4.265529	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 100 毫欧 2.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 580 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

RTQ025P02TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	100 毫欧 2.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.4 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	580 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.25W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT6（SC-95）
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	150°C（TJ）