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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5C060BCTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥3.563571 +100：￥2.409957 +800：￥1.76902 +3000：￥1.281874 +6000：￥1.217744	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.1 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RQ5C060BCTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3 下载数据手册未分类	+1：￥3.203388 +10：￥2.625728 +30：￥2.373658 +100：￥2.05857 +500：￥1.922033	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.1 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	RQ5C060BCTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.02379	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.1 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	RQ5C060BCTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3 下载数据手册	+1：￥7.178112 +100：￥3.833222 +3000：￥2.771366	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.1 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RQ5C060BCTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.722498 +6000：￥1.603684 +15000：￥1.544305 +30000：￥1.490501	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.1 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RQ5C060BCTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.213687 +6000：￥3.923036 +15000：￥3.777779 +30000：￥3.646161	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.1 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： -55°C # 150°C（TJ）
RQ5C060BCTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.911337 +10：￥9.588337 +100：￥7.351513 +500：￥5.811924 +1000：￥4.649595	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3
RQ5C060BCTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.911337 +10：￥9.588337 +100：￥7.351513 +500：￥5.811924 +1000：￥4.649595	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3

Mouser

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	RQ5C060BCTCL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CHANNEL 20V 6A TSMT3 下载数据手册	+1：￥12.742062 +10：￥11.225918 +100：￥8.612988 +500：￥6.822648 +1000：￥5.451667	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.1 毫欧 6A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 19.2 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1360 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： -55°C # 150°C（TJ）

RQ5C060BCTCL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	21.1 毫欧 6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	19.2 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1360 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT3
封装/外壳:	SC-96
温度:	-55°C # 150°C（TJ）