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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6047ENZ1C9 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥48.561414 +10：￥41.277214 +30：￥33.993014 +100：￥30.350914 +500：￥27.922807	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 25.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 120W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	R6047ENZ1C9 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A TO247 下载数据手册未分类	+1：￥21.889179 +10：￥19.713251 +30：￥18.41419 +100：￥17.342464 +500：￥16.617156	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 25.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 120W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	R6047ENZ1C9 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 25.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 120W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6047ENZ1C9 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 47A TO247 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：停产 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 47A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 72 毫欧 25.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 145 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 3850 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 120W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-247 封装/外壳： TO-247-3 温度： 150°C（TJ）

R6047ENZ1C9参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	停产
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	47A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	72 毫欧 25.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	145 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	3850 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	120W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-247
封装/外壳:	TO-247-3
温度:	150°C（TJ）