搜索 RF081M2STR 共 10 条相关记录
自营 现货库存
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | RF081M2STR 授权代理品牌 | DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU | +5: ¥0.500701 +50: ¥0.442298 +150: ¥0.4131 |
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | RF081M2STR 授权代理品牌 | +10: ¥0.420648 +100: ¥0.392612 +300: ¥0.346448 +1000: ¥0.309979 +5000: ¥0.294485 |
Mouser
图片 | 品牌型号 | 描述 | 价格(含税) | 库存 | 关键参数 |
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![]() | RF081M2STR 授权代理品牌 | +1: ¥6.285835 +10: ¥4.780542 +100: ¥2.977502 +500: ¥2.051168 +1000: ¥1.571459 |
RF081M2STR参数规格
属性 | 参数值 |
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品牌: | Rohm Semiconductor |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
二极管类型: | 标准 |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): | 200 V |
电流 - 平均整流 (Io): | 800mA |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | 950 mV 800 mA |
速度: | 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io) |
反向恢复时间 (trr): | 25 ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 10 µA 200 V |
不同 Vr、F 时电容: | - |
安装类型: | 表面贴装型 |
封装/外壳: | SOD-123 |
供应商器件封装: | PMDU |
工作温度 - 结: | 150°C(最大) |
温度: |