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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RF081M2STR_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU

二极管整流器

+1:

¥0.418597

+30:

¥0.403647

+100:

¥0.388697

+500:

¥0.358798

+1000:

¥0.343848

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 800mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 950 mV 800 mA

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: PMDU

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RF081M2STR_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU

二极管整流器

+300:

¥1.235531

+500:

¥0.835505

+1000:

¥0.613349

+3000:

¥0.444433

+6000:

¥0.422169

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 800mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 950 mV 800 mA

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: PMDU

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

自营 现货库存
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RF081M2STR_未分类
RF081M2STR
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU

未分类

+5:

¥0.500701

+50:

¥0.442298

+150:

¥0.4131

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 800mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 950 mV 800 mA

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: PMDU

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RF081M2STR_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU

二极管整流器

+1:

¥0.498036

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 800mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 950 mV 800 mA

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: PMDU

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RF081M2STR_未分类
RF081M2STR
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU

未分类

+10:

¥0.420648

+100:

¥0.392612

+300:

¥0.346448

+1000:

¥0.309979

+5000:

¥0.294485

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 800mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 950 mV 800 mA

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: PMDU

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

自营 国内现货
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RF081M2STR_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU

二极管整流器

+3000:

¥0.518883

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 800mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 950 mV 800 mA

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: PMDU

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

Digi-Key
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RF081M2STR_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU

二极管整流器

+3000:

¥1.269326

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 800mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 950 mV 800 mA

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: PMDU

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

RF081M2STR_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU

二极管整流器

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Cut Tape (CT) Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: 150°C (Max)

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: PMDU

RF081M2STR_二极管整流器
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU

二极管整流器

库存: 0

货期:7~10 天

包装: Digi-Reel® Alternate Packaging

系列: -

安装类型: Surface Mount

工作温度-结: 150°C (Max)

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: PMDU

Mouser
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RF081M2STR_未分类
RF081M2STR
授权代理品牌

DIODE GEN PURP 200V 800MA PMDU

未分类

+1:

¥6.285835

+10:

¥4.780542

+100:

¥2.977502

+500:

¥2.051168

+1000:

¥1.571459

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

二极管类型: 标准

电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V

电流 - 平均整流 (Io): 800mA

不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 950 mV 800 mA

速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

反向恢复时间 (trr): 25 ns

不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 200 V

不同 Vr、F 时电容: -

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOD-123

供应商器件封装: PMDU

工作温度 - 结: 150°C(最大)

温度:

RF081M2STR参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
二极管类型: 标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值): 200 V
电流 - 平均整流 (Io): 800mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 950 mV 800 mA
速度: 快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr): 25 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10 µA 200 V
不同 Vr、F 时电容: -
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOD-123
供应商器件封装: PMDU
工作温度 - 结: 150°C(最大)
温度: