RTQ045N03HZGTR厂家价格_数据手册

搜索 RTQ045N03HZGTR 共 8 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	AUTOMOTIVE NCH 30V 4.5A SMALL SI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.874169 +200：￥1.561868 +500：￥1.249446 +1000：￥1.041205	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	AUTOMOTIVE NCH 30V 4.5A SMALL SI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.923309 +200：￥0.744366 +500：￥0.71814 +1000：￥0.705246	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	AUTOMOTIVE NCH 30V 4.5A SMALL SI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+30：￥8.775994 +50：￥5.530637 +100：￥4.454266 +500：￥3.74233 +1000：￥3.593203	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	AUTOMOTIVE NCH 30V 4.5A SMALL SI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.588753 +6000：￥1.505116 +9000：￥1.393619 +30000：￥1.379836	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	AUTOMOTIVE NCH 30V 4.5A SMALL SI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.886511 +6000：￥3.681912 +9000：￥3.409162 +30000：￥3.375443	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）
RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	AUTOMOTIVE NCH 30V 4.5A SMALL SI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.287064 +10：￥8.858304 +100：￥6.13652 +500：￥5.127529 +1000：￥4.363716	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)
RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	AUTOMOTIVE NCH 30V 4.5A SMALL SI 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.287064 +10：￥8.858304 +100：￥6.13652 +500：￥5.127529 +1000：￥4.363716	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTQ045N03HZGTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	AUTOMOTIVE NCH 30V 4.5A SMALL SI 下载数据手册晶体管	+1：￥11.75966 +10：￥9.554722 +100：￥6.876135 +500：￥5.863498 +1000：￥4.997855	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 43 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 10.7 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 540 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 950mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

RTQ045N03HZGTR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	43 毫欧 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	10.7 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	540 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	950mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT6（SC-95）
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	150°C（TJ）