品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： LPTS

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： LPTS

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -

Packaging： Tape & Reel (TR)

Package / Case： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Mounting Type： Surface Mount

Operating Temperature： -

Technology： MOSFET (Metal Oxide)

FET Type： N-Channel

Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C： 80A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs： -

FET Feature： -

Power Dissipation (Max)： -

Vgs(th) (Max) @ Id： -

Supplier Device Package： LPTS

Part Status： Active

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)： -

Vgs (Max)： -

Drain to Source Voltage (Vdss)： 60 V

品牌： Rohm Semiconductor

包装： 剪切带（CT）,卷带（TR）,卷带（TR）

封装/外壳： *

系列：

零件状态： 在售

FET 类型： N 通道

技术： MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）： 60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 80A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： -

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： -

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： -

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： -

工作温度： -

安装类型： 表面贴装型

供应商器件封装： LPTS

封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

温度： -