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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6007KNX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.36352 +200：￥6.9696 +500：￥5.57568 +1000：￥4.6464	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装,散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 620 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6007KNX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥8.588834 +200：￥3.32189 +500：￥3.212617 +1000：￥3.147054	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装,散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 620 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6007KNX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥23.801473 +10：￥21.407158 +25：￥20.191583 +100：￥15.747225 +250：￥15.34345	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装,散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 620 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6007KNX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM 下载数据手册未分类	+1：￥33.441878 +10：￥29.999331 +100：￥24.097824 +500：￥19.835624	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装,散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 620 毫欧 2.4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 470 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 46W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

R6007KNX参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	散装,散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	620 毫欧 2.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	470 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	46W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220FM
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）