RAL045P01TCR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RAL045P01TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.025656 +30000：￥0.994863	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4200 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT6 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RAL045P01TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+80：￥3.560198 +100：￥3.378067 +500：￥2.831501 +1000：￥2.732141 +2000：￥2.55001	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4200 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT6 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RAL045P01TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.547455 +6000：￥1.465998 +9000：￥1.357427 +30000：￥1.343987	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4200 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT6 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RAL045P01TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.785485 +6000：￥3.586219 +9000：￥3.320626 +30000：￥3.287748	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4200 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT6 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）
RAL045P01TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.00619	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-SMD, Flat Leads 供应商器件封装： TUMT6
RAL045P01TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.00619	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 6-SMD, Flat Leads 供应商器件封装： TUMT6

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RAL045P01TCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6 下载数据手册晶体管	+3000：￥4.303496 +6000：￥4.075278 +9000：￥3.781859 +24000：￥3.749257	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 30 毫欧 4.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 40 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4200 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT6 封装/外壳： 6-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RAL045P01TCR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin TUMT T/R 下载数据手册未分类	+151：￥1.998969 +200：￥1.986695 +500：￥1.733637 +1000：￥1.66093 +2000：￥1.649599	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	RAL045P01TCR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH Si 12V 4.5A 6-Pin TUMT T/R 下载数据手册未分类	+293：￥2.530581 +500：￥2.439933 +1000：￥2.359673	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RAL045P01TCR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+5：￥2.268443 +50：￥1.663524 +100：￥1.569006 +200：￥1.559554 +500：￥1.361065	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RAL045P01TCR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	30 毫欧 4.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	40 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4200 pF 6 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TUMT6
封装/外壳:	6-SMD，扁平引线
温度:	150°C（TJ）