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	RK7002BMT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.133436 +10：￥0.122411 +30：￥0.120206 +100：￥0.11358	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SST3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

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	RK7002BMT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOS场效应管 RK7002BMT116 SOT-23 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+100：￥0.266079 +500：￥0.179927 +1000：￥0.132132 +3000：￥0.095711 +6000：￥0.090871	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SST3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RK7002BMT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥0.166832 +200：￥0.134379 +600：￥0.116349 +3000：￥0.093755 +9000：￥0.08438	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SST3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

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	RK7002BMT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.11858	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SST3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

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RK7002BMT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 下载数据手册未分类	+6000：￥0.128692	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SST3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
RK7002BMT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.17962 +200：￥0.393129 +1500：￥0.24588 +3000：￥0.169708 +45000：￥0.168782	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SST3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
RK7002BMT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.103955 +6000：￥0.102103 +9000：￥0.100482 +12000：￥0.098745	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SST3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
RK7002BMT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.141693 +9000：￥0.139263 +15000：￥0.137063 +30000：￥0.134632 +990000：￥0.112174	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SST3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
RK7002BMT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.017596 +500：￥0.017365 +1000：￥0.016785	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SST3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RK7002BMT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.195543 +6000：￥0.181409 +9000：￥0.150454 +30000：￥0.147767 +75000：￥0.132756	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SST3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）

RK7002BMT116参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	250mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2.4 欧姆 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	15 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	200mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	SST3
封装/外壳:	TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
温度:	150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RK7002BMT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 下载数据手册未分类	+6000：￥0.128692	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SST3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
RK7002BMT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.17962 +200：￥0.393129 +1500：￥0.24588 +3000：￥0.169708 +45000：￥0.168782	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SST3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
RK7002BMT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.103955 +6000：￥0.102103 +9000：￥0.100482 +12000：￥0.098745	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SST3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
RK7002BMT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.141693 +9000：￥0.139263 +15000：￥0.137063 +30000：￥0.134632 +990000：￥0.112174	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SST3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）
RK7002BMT116 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 60V 250MA SST3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥0.017596 +500：￥0.017365 +1000：￥0.016785	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 250mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2.4 欧姆 250mA，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 15 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： SST3 封装/外壳： TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 温度： 150°C（TJ）