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图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RN2106MFV,L3F(CT_双极晶体管
RN2106MFV,L3F(CT
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

双极晶体管

+1:

¥0.307656

+200:

¥0.122757

+500:

¥0.118655

+1000:

¥0.116628

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

温度:

Digi-Key
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RN2106MFV,L3F(CT_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

双极晶体管

+8000:

¥0.399524

+16000:

¥0.340021

+24000:

¥0.314519

+56000:

¥0.272017

+200000:

¥0.226114

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

温度:

RN2106MFV,L3F(CT_双极晶体管
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

双极晶体管

+1:

¥2.408482

+10:

¥2.238471

+25:

¥2.125132

+100:

¥0.935057

+250:

¥0.897656

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

RN2106MFV,L3F(CT_双极晶体管
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TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

双极晶体管

库存: 0

货期:7~10 天

系列: -

晶体管类型: Out of Bounds

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

Mouser
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RN2106MFV,L3F(CT_晶体管
RN2106MFV,L3F(CT
授权代理品牌

TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM

晶体管

+1:

¥2.776586

+10:

¥1.894612

+100:

¥0.865643

+1000:

¥0.506319

+2500:

¥0.440988

库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Toshiba Semiconductor and Storage

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列:

零件状态: 在售

晶体管类型: PNP - 预偏压

电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA

电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V

电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms

电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms

不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V

不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,5mA

电流 - 集电极截止(最大值): 500nA

频率 - 跃迁: 250 MHz

功率 - 最大值: 150 mW

安装类型: 表面贴装型

封装/外壳: SOT-723

供应商器件封装: VESM

温度:

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RN2106MFV,L3F(CT_未分类
RN2106MFV,L3F(CT
授权代理品牌
+100:

¥0.14085

+200:

¥0.134143

+500:

¥0.132227

+1000:

¥0.13031

+2000:

¥0.129352

库存: 0

货期:7~10 天

暂无参数

RN2106MFV,L3F(CT参数规格

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
晶体管类型: PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 100 mA
电压 - 集射极击穿(最大值): 50 V
电阻器 - 基极 (R1): 4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2): 47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值): 80 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值): 300mV 500µA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值): 500nA
频率 - 跃迁: 250 MHz
功率 - 最大值: 150 mW
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: SOT-723
供应商器件封装: VESM
温度: