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	RQ3L050GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥4.288845 +100：￥2.90037 +800：￥2.128995 +3000：￥1.54275 +6000：￥1.465673	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 14.8W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RQ3L050GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT 下载数据手册未分类	+1：￥1.434592 +10：￥1.160781 +30：￥1.043464 +100：￥0.897054 +500：￥0.831935	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 14.8W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RQ3L050GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT 下载数据手册未分类	+100：￥5.608828 +500：￥4.439088 +1000：￥3.549215 +3000：￥3.209353 +9000：￥2.869381	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 14.8W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
	RQ3L050GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT 下载数据手册未分类	+89：￥2.962782 +100：￥2.813184 +500：￥2.36227 +1000：￥2.272668 +2000：￥2.103743	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 14.8W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RQ3L050GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.740172	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 14.8W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RQ3L050GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.256921	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 14.8W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）
RQ3L050GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.998423 +10：￥9.686563 +100：￥7.427249 +500：￥5.871568 +1000：￥4.697255	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)
RQ3L050GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.998423 +10：￥9.686563 +100：￥7.427249 +500：￥5.871568 +1000：￥4.697255	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerVDFN 供应商器件封装： 8-HSMT (3.2x3)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ3L050GNTB Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT 下载数据手册未分类	+1：￥11.338111 +10：￥9.985734 +100：￥7.66347 +500：￥6.065206 +1000：￥4.849433	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 12A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 61 毫欧 5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 25µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 2.8 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 300 pF 30 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 14.8W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： 8-HSMT（3.2x3）封装/外壳： 8-PowerVDFN 温度： 150°C（TJ）

RQ3L050GNTB参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	61 毫欧 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 25µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	2.8 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	300 pF 30 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	14.8W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	8-HSMT（3.2x3）
封装/外壳:	8-PowerVDFN
温度:	150°C（TJ）