RRF015P03TL厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RRF015P03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥2.098382 +100：￥1.418967 +800：￥1.041568 +3000：￥0.754798 +6000：￥0.717046	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT3 封装/外壳： 3-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

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	RRF015P03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3 下载数据手册	+1：￥5.418 +100：￥3.131712 +1500：￥1.985472 +3000：￥1.435536	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT3 封装/外壳： 3-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RRF015P03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.747769 +6000：￥0.716756 +9000：￥0.645034 +30000：￥0.635513 +75000：￥0.597257	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT3 封装/外壳： 3-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RRF015P03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.829241 +6000：￥1.753374 +9000：￥1.577922 +30000：￥1.554634 +75000：￥1.46105	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT3 封装/外壳： 3-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）
RRF015P03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.715166 +10：￥5.257833 +100：￥3.15613 +500：￥2.922099 +1000：￥1.987119	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TUMT3
RRF015P03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.715166 +10：￥5.257833 +100：￥3.15613 +500：￥2.922099 +1000：￥1.987119	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-SMD, Flat Lead 供应商器件封装： TUMT3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RRF015P03TL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 1.5A TUMT3 下载数据手册未分类	+1：￥7.676444 +10：￥6.010493 +100：￥3.348237 +1000：￥2.270269 +3000：￥1.796615	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 1.5A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 160 毫欧 1.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 6.4 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 230 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 320mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TUMT3 封装/外壳： 3-SMD，扁平引线温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RRF015P03TL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	RRF015P03 Series -30 V -1.5 A 160 mOhm Surface Mount Power MOSFET - TUMT-3 下载数据手册未分类	+3000：￥0.928054 +9000：￥0.891809 +12000：￥0.88227 +30000：￥0.853656 +45000：￥0.825997	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RRF015P03TL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	1.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	160 毫欧 1.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	6.4 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	230 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	320mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TUMT3
封装/外壳:	3-SMD，扁平引线
温度:	150°C（TJ）