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	RQ5A030APTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.776555 +200：￥0.708852 +500：￥0.68514 +1000：￥0.673448	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

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	RQ5A030APTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3 下载数据手册未分类	+1：￥4.309555 +100：￥2.490895 +1500：￥1.5793 +3000：￥1.141788	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
	RQ5A030APTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3 下载数据手册未分类	+5：￥3.31806 +100：￥2.180721 +500：￥1.644674 +1000：￥1.230517 +3000：￥1.164711	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

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	RQ5A030APTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3 下载数据手册	+1：￥6.714302 +100：￥3.880843 +1500：￥2.460557 +3000：￥1.778962	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RQ5A030APTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥0.708801 +6000：￥0.665857 +15000：￥0.622853 +30000：￥0.571342 +75000：￥0.549839	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RQ5A030APTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.733916 +6000：￥1.628861 +15000：￥1.523662 +30000：￥1.397653 +75000：￥1.345053	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RQ5A030APTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.06921 +10：￥4.942071 +100：￥3.362632 +500：￥2.521902 +1000：￥1.891571	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3
RQ5A030APTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.06921 +10：￥4.942071 +100：￥3.362632 +500：￥2.521902 +1000：￥1.891571	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ5A030APTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3 下载数据手册未分类	+1：￥6.031299 +10：￥4.993355 +100：￥3.394359 +500：￥2.552782 +1000：￥1.921601	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 12 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 62 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 16 nC 4.5 V Vgs（最大值）： -8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2000 pF 6 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

RQ5A030APTL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	62 毫欧 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	16 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	-8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2000 pF 6 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT3
封装/外壳:	SC-96
温度:	150°C（TJ）