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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS1E260ATTB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 26A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥5.707691	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A (Ta), 80A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1mOhm 26A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 175 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7850 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W (Ta) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C (TJ)

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS1E260ATTB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 26A 8HSOP 下载数据手册	+1：￥8.577907 +200：￥3.32189 +500：￥3.20169 +1000：￥3.147054	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A (Ta), 80A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1mOhm 26A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 175 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7850 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W (Ta) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C (TJ)

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS1E260ATTB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 26A/80A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥8.219003 +5000：￥7.885313	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A (Ta), 80A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1mOhm 26A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 175 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7850 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W (Ta) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C (TJ)

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RS1E260ATTB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 26A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥20.105859 +5000：￥19.289564	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A (Ta), 80A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1mOhm 26A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 175 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7850 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W (Ta) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C (TJ)
RS1E260ATTB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 26A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.373665 +10：￥34.681294 +100：￥28.05425 +500：￥24.937432 +1000：￥21.352732	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP
RS1E260ATTB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 26A 8HSOP 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.373665 +10：￥34.681294 +100：￥28.05425 +500：￥24.937432 +1000：￥21.352732	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerTDFN 供应商器件封装： 8-HSOP

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RS1E260ATTB1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 30V 26A 8HSOP 下载数据手册未分类	+1：￥46.295163 +10：￥38.796651 +25：￥36.677504 +100：￥31.461149 +250：￥29.668027	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装： Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) 封装/外壳： * 系列：零件状态： Active FET 类型： P-Channel 技术： MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 26A (Ta), 80A (Tc) 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V, 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 3.1mOhm 26A, 10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 175 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7850 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 3W (Ta) 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 供应商器件封装： 8-HSOP 封装/外壳： 8-PowerTDFN 温度： 150°C (TJ)

RS1E260ATTB1参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR)
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	Active
FET 类型:	P-Channel
技术:	MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	26A (Ta), 80A (Tc)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	3.1mOhm 26A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	175 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	7850 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	3W (Ta)
工作温度:	150°C (TJ)
安装类型:	Surface Mount
供应商器件封装:	8-HSOP
封装/外壳:	8-PowerTDFN
温度:	150°C (TJ)