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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.132746 +10：￥1.42175 +30：￥1.184832	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 150mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VML0604 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604 下载数据手册未分类	+195：￥1.297989 +500：￥1.028801 +1000：￥0.999921 +2000：￥0.932676 +4000：￥0.898949	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 150mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VML0604 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
	RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604 下载数据手册未分类	+8000：￥1.589035 +16000：￥1.491726 +24000：￥1.432513	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 150mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VML0604 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8000：￥0.719712 +16000：￥0.673249 +24000：￥0.650916	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 150mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VML0604 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8000：￥1.760607 +16000：￥1.646943 +24000：￥1.592313	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 150mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VML0604 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）
RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.602273 +10：￥5.333601 +100：￥3.635134 +500：￥2.726093 +1000：￥2.044506	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： VML0604
RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥6.602273 +10：￥5.333601 +100：￥3.635134 +500：￥2.726093 +1000：￥2.044506	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 3-XFDFN 供应商器件封装： VML0604

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RV3C002UNT2CL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604 下载数据手册未分类	+1：￥6.957905 +10：￥5.620895 +100：￥3.833669 +500：￥2.878663 +1000：￥1.978227	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 150mA（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 1.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2 欧姆 150mA，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1V 100µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： - Vgs（最大值）： ±10V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 12 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 100mW（Ta）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： VML0604 封装/外壳： 3-XFDFN 温度： -55°C # 150°C（TJ）

RV3C002UNT2CL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	150mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	1.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	2 欧姆 150mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	-
Vgs（最大值）:	±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	12 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	100mW（Ta）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	VML0604
封装/外壳:	3-XFDFN
温度:	-55°C # 150°C（TJ）