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	R6030MNX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 90W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

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	R6030MNX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 90W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

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	R6030MNX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 90W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

Mouser

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	R6030MNX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 30A TO220FM 下载数据手册晶体管	+1：￥105.751049 +10：￥94.800013 +25：￥88.588979 +100：￥84.829668 +500：￥72.0807	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：管件封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 30A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 150 毫欧 15A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 43 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 2180 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 90W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： -55°C # 150°C（TJ）

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	R6030MNX ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk 下载数据手册未分类	+23：￥33.368717 +25：￥31.934406 +50：￥30.718219 +100：￥29.674826	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	R6030MNX ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk 下载数据手册未分类	+23：￥33.368717 +25：￥31.934406 +50：￥30.718219 +100：￥29.674826 +250：￥28.774959	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

R6030MNX参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	管件
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	150 毫欧 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	43 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	2180 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	90W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220FM
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	-55°C # 150°C（TJ）