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	R8008ANJFRGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥15.440233 +200：￥6.16298 +500：￥5.955362 +1000：￥5.857017	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.03 欧姆 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

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	R8008ANJFRGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.03 欧姆 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）
	R8008ANJFRGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.03 欧姆 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
R8008ANJFRGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥34.632286	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.03 欧姆 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）
R8008ANJFRGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥76.034217 +10：￥53.116862 +100：￥39.494957 +500：￥34.63244	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS
R8008ANJFRGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥76.034217 +10：￥53.116862 +100：￥39.494957 +500：￥34.63244	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS

Mouser

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	R8008ANJFRGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	R8008ANJ FRG IS A POWER MOSFET W 下载数据手册晶体管	+1：￥91.371742 +10：￥64.175797 +100：￥46.763759 +500：￥39.135628 +1000：￥37.477338	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 1.03 欧姆 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 38 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1100 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 195W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

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	R8008ANJFRGTL ROHM 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 800V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R 下载数据手册未分类	+8：￥39.751189 +12：￥25.41667 +50：￥20.598344 +100：￥19.273303	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R8008ANJFRGTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Days to ship 3 下载数据手册未分类	+1：￥31.490925 +10：￥20.135107 +50：￥16.318025 +100：￥15.268328	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R8008ANJFRGTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET, AECQ101, N-CH, 800V, 8A, TO-263S 下载数据手册未分类	+1：￥50.9342 +10：￥38.792108 +100：￥33.960306 +500：￥30.768314 +1000：￥25.723711	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

R8008ANJFRGTL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	1.03 欧姆 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	38 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1100 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	195W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	LPTS
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	150°C（TJ）