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	RVQ040N05TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥3.613786 +10：￥3.071706 +30：￥2.529626 +100：￥2.258586 +500：￥2.077933	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 53 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8 nC 5 V Vgs（最大值）： 21V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RVQ040N05TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 下载数据手册	+1：￥1.99969 +10：￥1.824854 +30：￥1.792072 +100：￥1.529818	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 53 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8 nC 5 V Vgs（最大值）： 21V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

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	RVQ040N05TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.885422	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 53 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8 nC 5 V Vgs（最大值）： 21V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

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	RVQ040N05TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 下载数据手册	+1：￥9.803376 +100：￥5.6664 +1500：￥3.592512 +3000：￥2.597328	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 53 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8 nC 5 V Vgs（最大值）： 21V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RVQ040N05TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.157558 +10：￥0.883103 +30：￥0.83268 +100：￥0.782258 +500：￥0.759848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 53 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8 nC 5 V Vgs（最大值）： 21V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RVQ040N05TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.831693 +10：￥2.160302 +30：￥2.036956 +100：￥1.913609 +500：￥1.858788	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 53 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8 nC 5 V Vgs（最大值）： 21V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）
RVQ040N05TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.831693 +10：￥2.160302 +30：￥2.036956 +100：￥1.913609 +500：￥1.858788	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)
RVQ040N05TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.831693 +10：￥2.160302 +30：￥2.036956 +100：￥1.913609 +500：￥1.858788	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)

Mouser

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	RVQ040N05TR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 45V 4A TSMT6 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 45 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 4A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 53 毫欧 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 8.8 nC 5 V Vgs（最大值）： 21V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 530 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 600mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： 150°C（TJ）

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	RVQ040N05TR ROHM(罗姆) 授权代理品牌	MOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 4A 下载数据手册未分类	+3000：￥2.573872 +6000：￥2.523992 +9000：￥2.474111 +30000：￥2.424227	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RVQ040N05TR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	45 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	53 毫欧 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	8.8 nC 5 V
Vgs（最大值）:	21V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	530 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	600mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT6（SC-95）
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	150°C（TJ）