RSJ250P10FRATL厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥47.916 +200：￥39.93 +500：￥31.944 +1000：￥26.62	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Ta）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS 下载数据手册未分类	+80：￥7.581773	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Ta）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C

自营国内现货

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	RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥5.136573 +2000：￥4.830658	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Ta）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥12.565419 +2000：￥11.817069	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Ta）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C
RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.567957 +10：￥22.959248 +100：￥18.458249 +500：￥15.165304	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS
RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.567957 +10：￥22.959248 +100：￥18.458249 +500：￥15.165304	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RSJ250P10FRATL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 100V 25A LPTS 下载数据手册未分类	+1：￥27.833013 +10：￥25.134915 +25：￥23.714864 +100：￥20.306739 +500：￥16.614605	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 25A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 63 毫欧 25A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 60 nC 5 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 8000 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Ta）工作温度： 150°C 安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C

RSJ250P10FRATL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	25A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	63 毫欧 25A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	60 nC 5 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	8000 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	50W（Ta）
工作温度:	150°C
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	LPTS
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	150°C