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	R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.455758 +10：￥8.16871 +30：￥5.91932	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 936 毫欧 3A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.5 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 410 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 86W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.514866 +10：￥26.913866 +30：￥26.509557 +100：￥26.105248	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 936 毫欧 3A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.5 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 410 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 86W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

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	R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥18.479232 +50：￥11.292826 +100：￥10.729843	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 936 毫欧 3A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.5 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 410 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 86W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 6A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥6.113163	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 936 毫欧 3A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.5 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 410 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 86W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥14.954416	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 936 毫欧 3A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.5 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 410 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 86W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）
R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.776452 +10：￥27.155077 +100：￥19.544007 +500：￥16.179531 +1000：￥15.08369	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252
R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥39.776452 +10：￥27.155077 +100：￥19.544007 +500：￥16.179531 +1000：￥15.08369	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6006JND3TL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 6A POWER MOSFET. R6006 下载数据手册未分类	+1：￥38.969799 +10：￥30.346694 +100：￥21.889419 +500：￥18.075354 +1000：￥16.350733	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 936 毫欧 3A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 15.5 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 410 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 86W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6006JND3TL1 ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+78：￥13.336162 +100：￥12.065088	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	R6006JND3TL1 ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R 下载数据手册未分类	+14：￥21.562009 +50：￥8.010949	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

R6006JND3TL1参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	936 毫欧 3A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	7V 800µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	15.5 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	410 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	86W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	150°C（TJ）