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自营 国内现货
图片品牌型号描述价格(含税)库存关键参数
RJ1U330AAFRGTL_未分类
授权代理品牌

NCH 250V/33A POWER MOSFET

未分类

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¥13.586792

+10:

¥11.02824

+50:

¥9.848218

+100:

¥9.418117

+500:

¥8.745394

库存: 1000 +

国内:1~2 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 105 毫欧 16.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 211W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: LPTS

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: 150°C(TJ)

Digi-Key
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RJ1U330AAFRGTL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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库存: 0

货期:7~10 天

品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 105 毫欧 16.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 211W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: LPTS

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: 150°C(TJ)

RJ1U330AAFRGTL_晶体管-FET,MOSFET-单个
授权代理品牌
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+100:

¥28.49052

+250:

¥26.90796

库存: 0

货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: LPTS

RJ1U330AAFRGTL_晶体管-FET,MOSFET-单个
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货期:7~10 天

系列: Automotive, AEC-Q101

工作温度: 150°C (TJ)

安装类型: Surface Mount

封装/外壳: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供应商器件封装: LPTS

Mouser
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RJ1U330AAFRGTL_晶体管
RJ1U330AAFRGTL
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NCH 250V/33A POWER MOSFET

晶体管

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品牌: Rohm Semiconductor

包装: 剪切带(CT),卷带(TR)

封装/外壳: *

系列: Automotive, AEC-Q101

零件状态: 在售

FET 类型: N 通道

技术: MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss): 250 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 105 毫欧 16.5A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC 10 V

Vgs(最大值): ±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4500 pF 25 V

FET 功能: -

功率耗散(最大值): 211W(Tc)

工作温度: 150°C(TJ)

安装类型: 表面贴装型

供应商器件封装: LPTS

封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

温度: 150°C(TJ)

RJ1U330AAFRGTL参数规格

属性 参数值
品牌: Rohm Semiconductor
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 33A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 105 毫欧 16.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 80 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4500 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 211W(Tc)
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: LPTS
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: 150°C(TJ)