RJ1U330AAFRGTL厂家价格_数据手册

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RJ1U330AAFRGTL Rohm Semiconductor 授权代理品牌	NCH 250V/33A POWER MOSFET 下载数据手册未分类	+1：￥13.586792 +10：￥11.02824 +50：￥9.848218 +100：￥9.418117 +500：￥8.745394	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 211W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RJ1U330AAFRGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 250V/33A POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1000：￥22.159292	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 211W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）
RJ1U330AAFRGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 250V/33A POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥41.88692 +10：￥37.673516 +25：￥35.615003 +100：￥28.49052 +250：￥26.90796	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS
RJ1U330AAFRGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 250V/33A POWER MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RJ1U330AAFRGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 250V/33A POWER MOSFET 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 250 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 33A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 105 毫欧 16.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4500 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 211W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： 150°C（TJ）

RJ1U330AAFRGTL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	33A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	105 毫欧 16.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	80 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4500 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	211W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	LPTS
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	150°C（TJ）