RQ6C065BCTCR厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥18.963241 +10：￥12.64208 +30：￥10.535107	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1520 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.189834 +10：￥7.867634 +30：￥7.135507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1520 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6 下载数据手册未分类	+77：￥3.324811 +100：￥2.634554 +500：￥2.372111 +1000：￥2.255434 +2000：￥2.16848	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1520 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.714851 +6000：￥1.624556 +9000：￥1.50424 +30000：￥1.489346	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1520 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.19498 +6000：￥3.974094 +9000：￥3.679768 +30000：￥3.643336	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1520 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）
RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.001443 +10：￥9.572683 +100：￥6.623727 +500：￥5.53444 +1000：￥4.710048	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-95-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)
RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.001443 +10：￥9.572683 +100：￥6.623727 +500：￥5.53444 +1000：￥4.710048	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-95-6 供应商器件封装： TSMT6 (SC-95)

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RQ6C065BCTCR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 20V 6.5A TSMT6 下载数据手册未分类	+1：￥12.412974 +10：￥11.090013 +100：￥7.562115 +500：￥6.320817 +1000：￥5.373513	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 6.5A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21 毫欧 6.5A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 1.2V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1520 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 1.25W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT6（SC-95）封装/外壳： SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 温度： -55°C # 150°C（TJ）

RQ6C065BCTCR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	6.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	21 毫欧 6.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	1.2V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	22 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1520 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	1.25W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT6（SC-95）
封装/外壳:	SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
温度:	-55°C # 150°C（TJ）