品牌： Renesas Electronics America Inc

包装： Bulk

封装/外壳： *

系列：

零件状态： Obsolete

FET 类型： N-Channel

技术： MOSFET (Metal Oxide)

漏源电压（Vdss）： 30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 65A (Ta)

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： -

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 2mOhm 32.5A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： -

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 49 nC 4.5 V

Vgs（最大值）： -

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 7650 pF 10 V

FET 功能： -

功率耗散（最大值）： 65W (Tc)

工作温度： 150°C (TJ)

安装类型： Surface Mount

供应商器件封装： 8-WPAK (3)

封装/外壳： 8-PowerWDFN

温度： 150°C (TJ)