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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6011ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.861081 +200：￥9.050921 +500：￥7.24064 +1000：￥6.033907	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	R6011ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.145815 +200：￥4.316272 +500：￥4.16329 +1000：￥4.086799	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
R6011ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM 下载数据手册未分类	+1：￥26.210308 +100：￥15.149631 +500：￥9.6048	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）
R6011ENX VBsemi(台湾微碧) 授权代理品牌	R6011ENX VBSEMI/台湾微碧半导体下载数据手册未分类	+10：￥12.434132 +1000：￥12.005368 +3000：￥11.576605 +4000：￥11.255032	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数
R6011ENX 授权代理品牌	R6011ENX VBSEMI/微碧半导体下载数据手册未分类	+1：￥16.883542 +50：￥16.017639 +1000：￥15.584808	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	暂无参数

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	R6011ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM 下载数据手册	+1：￥38.759198 +100：￥20.697394 +500：￥14.964206	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	R6011ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.359028 +10：￥15.56388 +100：￥12.753851 +500：￥10.856918 +1000：￥9.156443	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6011ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥42.464783 +10：￥38.073374 +100：￥31.199298 +500：￥26.558897 +1000：￥22.399086	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Mouser

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	R6011ENX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM 下载数据手册未分类	+1：￥47.855279 +10：￥40.178835 +25：￥39.035535 +100：￥32.50239 +250：￥31.685747	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 11A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 390 毫欧 3.8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 32 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 670 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

R6011ENX参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	11A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	390 毫欧 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	32 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	670 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	40W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220FM
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C（TJ）