RCX450N20厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

锐单电子商城，一站式电子元器件采购平台！

电话：400-990-0325

搜索 RCX450N20 共 6 条相关记录

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RCX450N20 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 45A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.831799 +200：￥9.0266 +500：￥7.22128 +1000：￥6.017693	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 22.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.23W（Ta），40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RCX450N20 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 45A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥11.113034 +200：￥4.305344 +500：￥4.152363 +1000：￥4.075872	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 22.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.23W（Ta），40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RCX450N20 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 45A TO220 下载数据手册	+1：￥35.373168 +100：￥20.445696 +500：￥12.962592	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 22.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.23W（Ta），40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RCX450N20 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 45A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.779901 +10：￥15.990328 +100：￥12.850177 +500：￥10.557787 +1000：￥8.747827	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 22.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.23W（Ta），40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RCX450N20 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 45A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.494347 +10：￥39.116578 +100：￥31.434937 +500：￥25.827143 +1000：￥21.399502	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 22.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.23W（Ta），40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RCX450N20 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 200V 45A TO220 下载数据手册未分类	+1：￥42.49962 +10：￥38.151474 +100：￥31.278599 +500：￥26.509664 +1000：￥22.442043	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 200 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 45A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 55 毫欧 22.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 80 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 4200 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2.23W（Ta），40W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

RCX450N20参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	45A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	55 毫欧 22.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	80 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	4200 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2.23W（Ta），40W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220FM
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C（TJ）