![RF4E075ATTCR_未分类]() | RF4E075ATTCR | MOSFET P-CH 30V 7.5A HUML2020L8 未分类 | | | 品牌： Rohm Semiconductor 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.7 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta） 工作温度： 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ） |
 | RF4E075ATTCR | | | | 品牌： Rohm Semiconductor 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.7 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta） 工作温度： 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ） |
| RF4E075ATTCR | | | | 品牌： Rohm Semiconductor 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.7 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta） 工作温度： 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ） |
| RF4E075ATTCR | | | | 品牌： Rohm Semiconductor 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.7 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta） 工作温度： 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ） |
| RF4E075ATTCR | | | | 品牌： Rohm Semiconductor 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.7 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta） 工作温度： 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ） |
| RF4E075ATTCR | | | | 品牌： Rohm Semiconductor 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.7 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta） 工作温度： 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ） |
| RF4E075ATTCR | | | | 品牌： Rohm Semiconductor 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.7 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta） 工作温度： 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ） |
| RF4E075ATTCR | | | | 品牌： Rohm Semiconductor 包装： 剪切带（CT）,卷带（TR） 封装/外壳： * 系列： 零件状态： 在售 FET 类型： P 通道 技术： MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 7.5A（Ta） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 21.7 毫欧 7.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 22 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1000 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta） 工作温度： 150°C（TJ） 安装类型： 表面贴装型 供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ） |
