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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R8002ANX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.436761 +200：￥13.697321 +500：￥10.95776 +1000：￥9.131507	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R8002ANX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥16.860778 +200：￥6.52358 +500：￥6.294108 +1000：￥6.184835	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

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	R8002ANX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+110：￥18.021139 +500：￥11.425363	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）
	R8002ANX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+8：￥33.332083 +10：￥27.337997 +50：￥15.349651 +100：￥14.587949 +500：￥13.594522	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	R8002ANX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

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	R8002ANX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Mouser

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	R8002ANX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM 下载数据手册晶体管	+500：￥26.53263 +1000：￥24.376853 +2500：￥23.713537 +5000：￥23.050221	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 2A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 4.3 欧姆 1A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 12.7 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 210 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 35W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R8002ANX ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk 下载数据手册未分类	+57：￥14.715774 +100：￥14.057181	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数
	R8002ANX ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET N-CH Si 800V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk 下载数据手册未分类	+57：￥14.715774 +100：￥14.057181 +250：￥13.49337	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

R8002ANX参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	4.3 欧姆 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	12.7 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	210 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	35W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220FM
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C（TJ）