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	RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 14A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.5512 +10：￥8.96852 +30：￥7.38584 +100：￥6.5945 +500：￥6.06694	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 84 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 14A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥6.742126 +10：￥5.594762 +30：￥5.026544	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 84 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

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	RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 14A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥9.237382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 84 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

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	RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 14A TO252 下载数据手册未分类	+2500：￥2.861114	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 84 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

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	RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 14A TO252 下载数据手册	+1：￥20.205072 +100：￥11.456352 +1250：￥7.26336 +2500：￥5.411232	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 84 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 14A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥3.869585	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 84 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 14A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+2500：￥9.466031	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 84 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）
RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 14A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.996503 +10：￥18.955009 +100：￥13.421493 +500：￥10.96086 +1000：￥10.156919	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252
RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 14A TO252 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥27.996503 +10：￥18.955009 +100：￥13.421493 +500：￥10.96086 +1000：￥10.156919	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 供应商器件封装： TO-252

Mouser

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	RD3L140SPTL1 Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET P-CH 60V 14A TO252 下载数据手册未分类	+1：￥30.346694 +10：￥20.562787 +100：￥14.559781 +500：￥11.889936 +1000：￥11.011043	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 60 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 14A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 84 毫欧 14A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 3V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 27 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1900 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 20W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TO-252 封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 温度： 150°C（TJ）

RD3L140SPTL1参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	14A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	84 毫欧 14A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	3V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	27 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1900 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	20W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TO-252
封装/外壳:	TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
温度:	150°C（TJ）