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	RF4E080BNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.263102 +30：￥1.217987 +100：￥1.172884 +500：￥1.082655 +1000：￥1.037552	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.6 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RF4E080BNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+20：￥2.649053 +100：￥1.791284 +800：￥1.316722 +3000：￥0.954448 +6000：￥0.906532	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.6 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RF4E080BNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+5：￥1.671981 +50：￥1.473434 +150：￥1.388309 +500：￥1.282206 +3000：￥1.234891	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.6 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RF4E080BNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥0.913066	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.6 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RF4E080BNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥1.387761 +200：￥1.065247 +1500：￥0.926448 +3000：￥0.805128 +45000：￥0.797604	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.6 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）
	RF4E080BNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.180778 +6000：￥1.161098 +9000：￥1.141418 +12000：￥1.121739	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.6 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

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	RF4E080BNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 下载数据手册	+1：￥7.963488 +100：￥4.515264 +1500：￥2.86272 +3000：￥2.132784	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.6 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RF4E080BNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.612868 +6000：￥1.501625 +15000：￥1.445975 +30000：￥1.390382	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.6 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

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	RF4E080BNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥3.945501 +6000：￥3.673373 +15000：￥3.537237 +30000：￥3.401245	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 30 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 8A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 17.6 毫欧 8A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 14.5 nC 10 V Vgs（最大值）： ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 660 pF 15 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 2W（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： HUML2020L8 封装/外壳： 8-PowerUDFN 温度： 150°C（TJ）
	RF4E080BNTR Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 30V 8A HUML2020L8 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥10.174355 +10：￥8.984959 +100：￥6.884169 +500：￥5.441992 +1000：￥4.353621	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： 8-PowerUDFN 供应商器件封装： HUML2020L8

RF4E080BNTR参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	17.6 毫欧 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	14.5 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	660 pF 15 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	2W（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	HUML2020L8
封装/外壳:	8-PowerUDFN
温度:	150°C（TJ）