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自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R5009ANX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 9A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥25.034376 +200：￥9.998452 +500：￥9.659707 +1000：￥9.495798	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装,散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 720 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R5009ANX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 9A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥7.191113 +10：￥6.40926 +25：￥6.081075 +100：￥4.560806 +250：￥4.51737	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装,散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 720 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R5009ANX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 9A TO220 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥17.591366 +10：￥15.678748 +25：￥14.875921 +100：￥11.156941 +250：￥11.050684	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装,散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 720 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R5009ANX Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	MOSFET N-CH 500V 9A TO220 下载数据手册晶体管	+：￥ +：￥ +：￥ +：￥	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：散装,散装封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 500 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 720 毫欧 4.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 4.5V 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 21 nC 10 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 650 pF 25 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 50W（Tc）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：通孔供应商器件封装： TO-220FM 封装/外壳： TO-220-3 整包温度： 150°C（TJ）

R5009ANX参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	散装,散装
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	720 毫欧 4.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	4.5V 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	21 nC 10 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	650 pF 25 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	50W（Tc）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	通孔
供应商器件封装:	TO-220FM
封装/外壳:	TO-220-3 整包
温度:	150°C（TJ）