RTR030P02HZGTL厂家价格_数据手册

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	RTR030P02HZGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	PCH -20V -3A SMALL SIGNAL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.274074 +200：￥1.895102 +500：￥1.516009 +1000：￥1.263361	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 34µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

自营现货库存

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	RTR030P02HZGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	PCH -20V -3A SMALL SIGNAL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥2.333737 +200：￥0.903139 +500：￥0.87145 +1000：￥0.855715	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 34µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

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	RTR030P02HZGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	PCH -20V -3A SMALL SIGNAL MOSFET 下载数据手册	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 34µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
	RTR030P02HZGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	PCH -20V -3A SMALL SIGNAL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	1+: 需询价	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 34µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

自营国内现货

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	RTR030P02HZGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	PCH -20V -3A SMALL SIGNAL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥1.924995 +6000：￥1.823661 +9000：￥1.688569 +30000：￥1.671864	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 34µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
RTR030P02HZGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	PCH -20V -3A SMALL SIGNAL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3000：￥4.709047 +6000：￥4.461158 +9000：￥4.130686 +30000：￥4.089823	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 34µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）
RTR030P02HZGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	PCH -20V -3A SMALL SIGNAL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.430202 +10：￥10.744267 +100：￥7.435262 +500：￥6.21253 +1000：￥5.287266	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3
RTR030P02HZGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	PCH -20V -3A SMALL SIGNAL MOSFET 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥12.430202 +10：￥10.744267 +100：￥7.435262 +500：￥6.21253 +1000：￥5.287266	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： Automotive, AEC-Q101 工作温度： 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： SC-96 供应商器件封装： TSMT3

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTR030P02HZGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	PCH -20V -3A SMALL SIGNAL MOSFET 下载数据手册晶体管	+1：￥14.209587 +10：￥11.596331 +100：￥8.362424 +500：￥7.104794 +1000：￥6.043158	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列： Automotive, AEC-Q101 零件状态：在售 FET 类型： P 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 3A（Ta）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 2.5V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 75 毫欧 3A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 2V 34µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 9.3 nC 4.5 V Vgs（最大值）： ±12V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 840 pF 10 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 700mW（Ta）工作温度： 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： TSMT3 封装/外壳： SC-96 温度： 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	RTR030P02HZGTL ROHM(罗姆) 授权代理品牌	Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSMT T/R 下载数据手册未分类	+197：￥3.916735 +250：￥3.759046 +500：￥3.624017 +1000：￥3.505042 +2500：￥3.40212	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	暂无参数

RTR030P02HZGTL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:	Automotive, AEC-Q101
零件状态:	在售
FET 类型:	P 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	2.5V，4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	75 毫欧 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	2V 34µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	9.3 nC 4.5 V
Vgs（最大值）:	±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	840 pF 10 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	700mW（Ta）
工作温度:	150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	TSMT3
封装/外壳:	SC-96
温度:	150°C（TJ）