R6020JNJGTL厂家价格_数据手册_参数规格-锐单商城

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图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 20A POWER MOSFET; R6020 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+10：￥58.614215 +100：￥39.63839 +500：￥29.096265 +1000：￥21.08425 +2000：￥20.030098	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 234 毫欧 10A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 3.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 252W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

自营现货库存

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 20A POWER MOSFET; R6020 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥43.741862 +200：￥17.461777 +500：￥16.871705 +1000：￥16.587596	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 234 毫欧 10A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 3.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 252W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 20A POWER MOSFET; R6020 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+3：￥108.921197 +10：￥59.908378 +50：￥53.914118 +100：￥42.787008	库存： 1000 + 国内：1~2 天立即购买	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 234 毫欧 10A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 3.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 252W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

Digi-Key

品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
R6020JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 20A POWER MOSFET; R6020 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.320925 +10：￥34.868009 +100：￥33.778363	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 234 毫欧 10A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 3.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 252W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）
R6020JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 20A POWER MOSFET; R6020 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.320925 +10：￥34.868009 +100：￥33.778363	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS
R6020JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 20A POWER MOSFET; R6020 下载数据手册晶体管-FET，MOSFET-单个	+1：￥36.320925 +10：￥34.868009 +100：￥33.778363	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	系列： - 工作温度： -55°C # 150°C (TJ) 安装类型： Surface Mount 封装/外壳： TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 供应商器件封装： LPTS

Mouser

图片	品牌型号	描述	价格（含税）	库存	关键参数
	R6020JNJGTL Rohm Semiconductor(罗姆) 授权代理品牌	NCH 600V 20A POWER MOSFET; R6020 下载数据手册晶体管	+1：￥59.616477 +10：￥54.078336 +100：￥48.540194 +500：￥45.934008 +1000：￥39.581432	库存： 0 货期：7~10 天联系客服	品牌： Rohm Semiconductor 包装：剪切带（CT）,卷带（TR）封装/外壳： * 系列：零件状态：在售 FET 类型： N 通道技术： MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）： 600 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)： 20A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）： 234 毫欧 10A，15V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）： 7V 3.5mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）： 45 nC 15 V Vgs（最大值）： ±30V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）： 1500 pF 100 V FET 功能： - 功率耗散（最大值）： 252W（Tc）工作温度： -55°C # 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型供应商器件封装： LPTS 封装/外壳： TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 温度： -55°C # 150°C（TJ）

R6020JNJGTL参数规格

属性	参数值
品牌:	Rohm Semiconductor
包装:	剪切带（CT）,卷带（TR）
封装/外壳:	*
系列:
零件状态:	在售
FET 类型:	N 通道
技术:	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）:	600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):	20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:	15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:	234 毫欧 10A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:	7V 3.5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:	45 nC 15 V
Vgs（最大值）:	±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:	1500 pF 100 V
FET 功能:	-
功率耗散（最大值）:	252W（Tc）
工作温度:	-55°C # 150°C（TJ）
安装类型:	表面贴装型
供应商器件封装:	LPTS
封装/外壳:	TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
温度:	-55°C # 150°C（TJ）